09-202012中秋國慶雙節放假通知

07-18ST推出极小工作电流的节能型电压比较器

07-18瑞萨电子新型智慧型功率装置锁定汽车应用

07-18恩智浦推出新型汽车级TrenchMOS器件

04-242012年五一放假的通知

03-30清明節放假通知

    安森美半導體(ON Semiconductor)推出新系列的有源時鐘產生器積體電路(IC)，管理時鐘源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)，為所有依賴於時鐘的信號提供降低全系統級的EMI。

       新的P3MS650100H及P3MS650103H低壓互補金屬氧化物半導體(LVCMOS)降低峰值EMI時鐘產生器非常適合用於空間受限的應用，如便攜電池供電設備，包括手機及平板電腦。這些可攜式裝置的EMI/RFI可能是一項重要挑戰，而符合相關規範是先決條件。這些通用新器件採用小型4引腳WDFN封裝，尺寸僅為1mmx1.2mmx0.8mm。這些擴頻型時鐘產生器提供業界最小的獨立式有源方案，以在時鐘源和源自時鐘源的下行時鐘及資料信號處降低EMI/RFI。
 
       P3MS650100H及P3MS650103H支援的輸入電壓範圍為1.8伏(V)至3.3V，典型偏差為0.45%至1.4%，在時鐘源降低EMI/RFI的頻率範圍在15兆赫茲(MHz)至60 MHz。工作溫度範圍為-20ºC至+85ºC。

       安森美半導體定制工業及時序產品副總裁Ryan Cameron說：“需要符合EMI規範同時控制成本及把印製電路板(PCB)佔用面積減至最小，是移動應用的重要挑戰。我們新的降低EMI IC克服這些挑戰，提供在時鐘源及源自時鐘源的下行時鐘及資料信號處降低EMI/RFI的高性價比方案。設計工程師在設計週期及早採用這些器件，可無須其他方案及加入成本不菲的額外PCB層或遮罩來處理EMI/RFI問題。”